- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HYG015N04LS2C2
HYG015N04LS2C2
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG015N04LS2C2
- 商品编号
- C55223764
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 267A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 197W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 91nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.479nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 905pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
- MKUS008G-IQZ1
- CoreS3
- CH32V467VET6
- GT-A2012WVD-208WBT01
- GT-A2012WVD-210WBT01
- GT-A2012WVD-212WBT01
- GT-A2012WVD-214WBT01
- GT-A2012WVD-216WBT01
- GT-A2012WVD-218WBT01
- GT-A2012WVD-220WBT01
- GT-A2012WVD-222WBT01
- GT-A2012WVD-224WBT01
- GT-A2012WVD-226WBT01
- GT-A2012WVD-228WBT01
- GT-A2012WVD-240WBT01
- GT-A2012WRD-208WBT01
- GT-A2012WRD-210WBT01
- GT-A2012WRD-212WBT01
- GT-A2012WRD-214WBT01
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- GT-A2012WRD-218WBT01