WT25Q80X-8S(150mil)8Mbit FLash

WT25Q80非易失性闪存设备支持标准串行外设接口（SPI）。它支持传统的SPI单比特串行输入和输出（单I/O或SIO），以及可选的两比特（双I/O或DIO）和四比特（四I/O或QIO）串行协议。这种多宽度接口被称为SPI多I/O或MIO。

• 低电源电压操作：单2.3V - 3.6V电源
• 8 Mbit串行闪存：8 Mbit/1M字节/16384页，每页可编程256字节，统一的4K字节扇区、32K/64K字节块
• 新型SpiFlash内存系列：标准SPI（CLK、CS#、DI、DO、WP#、HOLD# / RESET#）；双SPI（CLK、CS#、DI、DO、WP#、HOLD#/RESET#）；四SPI（CLK、CS#、IO0、IO1、IO2、IO3）；QPI（CLK、CS#、IO0、IO1、IO2、IO3）；软件和硬件复位；自动递增读取能力
• 温度范围：消费级（-20°C ~ +85°C）；工业级（-40°C ~ +85°C）
• 低功耗：典型工作电流9 mA，典型掉电电流2 μA
• 高效的“连续读取”和QPI模式：支持8/16/32/64字节回绕的连续读取；最少8个时钟周期寻址内存；四外设接口（QPI）减少指令开销
• 具有4KB扇区的灵活架构：扇区擦除（4K字节）；块擦除（32K/64K字节）；页面编程最大256字节；超过100K次擦除/编程循环；超过20年数据保留
• 高级安全特性：软件和硬件写保护；电源锁定和OTP保护；顶部/底部、互补阵列保护；每个设备具有64位唯一ID；可发现参数（SFDP）寄存器；带OTP锁的3×256字节安全寄存器；易失性和非易失性状态寄存器位
• 高性能编程/擦除速度：页面编程时间典型值400 μs；扇区擦除时间典型值35 ms；块擦除时间典型值200 ms；芯片擦除时间典型值10秒
• 封装选项：8引脚SOP 150/208密耳；8焊盘WSON 6×5毫米；8引脚PDIP 300密耳；所有无铅封装均符合RoHS标准