温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HL30G30F
HL30G30F/沟槽/Single N+P/30V|-30V/30A|-30A/9.5mΩ|16mΩ
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 沟槽;1个N+P沟道;VDSS:30V/-30V;ID:30A/-30A;VGS:±20V;VTH:1.5V/-1.6V;RDS(ON):9.5mΩ/16mΩ;PD：15W/21.3W
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- HL30G30F
- 商品编号
- C55213356
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17626克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V；30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A；30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V；16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W；21.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V；1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC；24nC | |
| 输入电容(Ciss) | 633pF；1.24nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 99pF；138pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF；151pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |