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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 206A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 4.2mΩ@10V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 429W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 5.23nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 高速功率平滑切换
- 增强型体二极管 dv/dt 能力
- 增强型雪崩耐用性
- 100% 非钳位感应开关 (UIS) 测试,100% 栅极电阻 (Rg) 测试
- 无铅
应用领域
- 开关电源 (SMPS) 同步整流
- 硬开关和高速电路
- 电动工具
- 不间断电源 (UPS)
- 电机控制
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