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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 93A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 15.5mΩ@10V,20A | |
| 功率(Pd) | 429W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 4.95nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 7pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
碳化硅（SiC）MOSFET采用全新技术，与硅基器件相比，具备卓越的开关性能和更高的可靠性。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，该系统具有效率高、工作频率快、功率密度高、电磁干扰低和系统尺寸小等优势。
商品特性
- 高速功率平滑切换
- 增强型体二极管 dv/dt 能力
- 增强型雪崩耐量
- 100% 单脉冲雪崩测试、100% 栅极电阻测试
- 无铅
应用领域
- 开关模式电源中的同步整流
- 硬开关和高速电路
- 电动工具
- 不间断电源
- 电机控制
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