温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 294A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.6mΩ@10V,20A | |
| 功率(Pd) | 319W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 135nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 8.628nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 34pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on)，可降低导通损耗
- 低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗
- 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂、无铍，符合RoHS标准
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