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NTH4L028N170M1
NTH4L028N170M1
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
NTH4L028N170M1商品编号
C5209022商品封装
TO-247-4包装方式
管装
商品毛重
8.53克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 封装类型 | 单管 | |
| 沟道类型 | 1个N沟道 | |
| 配置 | - | |
| Vds-漏源击穿电压 | 1700V | |
| Id-漏极电流(25℃) | 81A | |
| Pd-功耗 | 535W | |
| Vgs(th)-漏源阈值电压 | 2.75V | |
| RDS(on)-导通电阻(20V) | 28mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| RDS(on)-导通电阻(18V) | - | |
| RDS(on)-导通电阻(15V) | - | |
| RDS(on)-导通电阻(10V) | - | |
| Qg-栅极电荷 | 200nC | |
| Ciss-输入电容 | 4230pF | |
| Crss-反向传输电容 | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| Coss-输出电容 | 200pF |
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