JFE2325DTQR

JFE2325 是一款单片匹配对的分立式 JFET，旨在与驻极体电容式麦克风 (ECM) 等极高阻抗传感器配合使用。该器件由两个 N 通道 JFET 组成，它们集成于单个裸片上，旨在实现优异的匹配性能。每个 JFET 的栅极均由集成二极管偏置，该二极管允许将信号源直接耦合到栅极，而无需偏置电阻器。如果使用分立式电阻器进行栅极偏置，JFE2325 可实现的输入阻抗 (>400GΩ) 要高得多。此外，JFE2325 具有每个 JFET 0.85pF 的超低输入电容，可最大限度地提高具有极低输出电容的传感器信号电平。当配置为以 385μA 的全漏极电流运行时，每个 JFET 能够实现 0.7mS 的跨导。JFET 可以单独使用，也可以并联使用，以实现更高的跨导和更低的噪声。JFE2325 可承受 30V 的高栅漏电压。额定温度范围:–40℃ 至 +125℃。

• 单片、匹配、N 通道 JFET
• 可实现高输入阻抗 (>400GΩ) 的自偏置栅极
• 低输入电容:每个 JFET 0.85pF
• 低噪声:-110dBV（A 加权），输入电容 5pF
• 低 VGS 失配:30mV（最大值）
• 低 IDSS 失配:5%（最大值）
• 高栅漏击穿电压:30V
• 极小型封装:0.8mm × 1mm X2SON

• 驻极体电容式麦克风 (ECM)
• MEMS 麦克风
• 加速计
• 热释电红外 (PIR) 传感器
• 光电二极管放大器