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CMD65R660S6ZD
COOLMOS TO-252 650V 6A
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- 描述
- COOLMOS，封装：TO-252，电压：650V电流：6A，10V内阻：0.66欧，功率：75W,Cisstyp:450pF
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD65R660S6ZD
- 商品编号
- C55185723
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3715克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 23pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±25V |