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AO4840(UMW)
耐压:40V 电流:7A
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- 描述
- 特性：VDS(V)=40V。 ID = 7A(VGS = 10V) 。 RDS(ON)<0.028Ω(VGS=10V)。 RDS(ON)<0.03Ω(VGS=4.5V)。 TrenchFET power MOSFET。 100% Rg and UIS tested
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AO4840(UMW)
- 商品编号
- C5199866
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.200854克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V；30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
商品特性
- 漏源电压为40V
- 漏极电流为7A (栅源电压为10V时)
- 导通电阻小于0.028Ω (栅源电压为10V时)
- 导通电阻小于0.03Ω (栅源电压为4.5V时)
- 沟槽栅MOSFET功率管
- 100%栅极电阻和雪崩能量测试