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2SK3018-TDD
2SK3018-TDD
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- 描述
- TDD(台冠电子/台源电子）MOS 配置 独立式；沟道类型 N 沟道；漏源击穿电压（Vds) 30V；连续漏极电流（Id) 200mA；栅极开启电压 (Vgs (th)) 1.0V~2.5V；导通内阻 (Rds (on)) 3.5Ω@Vgs=10V；耗散功率 (Pd) 300mW；工作结温范围 -55℃~+150℃
- 品牌名称
- TDD(台冠电子)
- 商品型号
- 2SK3018-TDD
- 商品编号
- C55125714
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 13pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |