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HC040N120F7Y实物图
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HC040N120F7Y

SiC MOS, 1200V, 40mΩ

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商品型号
HC040N120F7Y
商品编号
C55114805
商品封装
TO-247-4L​
包装方式
管装
商品毛重
8.523333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
配置-
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)57A
耗散功率(Pd)288W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)62nC
输入电容(Ciss)1.668nF
反向传输电容(Crss)4pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)105pF
导通电阻(RDS(on))56mΩ

数据手册PDF

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