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DMTH6016LPSQ-13-JSM实物图
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DMTH6016LPSQ-13-JSM

DMTH6016LPSQ-13-JSM

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描述
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):50A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mR @20A,10V
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
DMTH6016LPSQ-13-JSM
商品编号
C55112148
商品封装
DFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1233克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@10V
耗散功率(Pd)78W
阈值电压(Vgs(th))1.8V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)18nC
输入电容(Ciss)1.09nF
反向传输电容(Crss)30pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)450pF
栅极电压(Vgs)±20V

数据手册PDF