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IPB042N10N3GATMA1-JSM
IPB042N10N3GATMA1-JSM
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：140A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.6mR @20A,10V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IPB042N10N3GATMA1-JSM
- 商品编号
- C55112026
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.616克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.628nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.624nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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