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SP60N01BGTO

大电流SGT MOSFET产品

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描述
大电流SGT MOSFET产品,N沟道,耐压:60V,电流:330A,RDSON:1.3mR
品牌名称
Siliup(矽普)
商品型号
SP60N01BGTO
商品编号
C55085265
商品封装
TOLL​
包装方式
编带
商品毛重
2.504872克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)330A
导通电阻(RDS(on))1.3mΩ@10V
耗散功率(Pd)358W
阈值电压(Vgs(th))1.7V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)110nC
输入电容(Ciss)7.797nF
反向传输电容(Crss)111pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.4nF
栅极电压(Vgs)±20V

数据手册PDF