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MDT50P10D
P沟道 100V 50A
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- 描述
- 采用Trench工艺，P沟道，100V 50A,35mΩ@10V,广泛应用于电源管理、电机驱动、工业控制等领域。
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MDT50P10D
- 商品编号
- C55079406
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44356克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.315nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |