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DD1R4TDG

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描述
SGT2工艺N管/40V/200A/1.4MΩ/(典型1.1MΩ)
商品型号
DD1R4TDG
商品编号
C55072657
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
1.169克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)200A
导通电阻(RDS(on))1.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)179W
阈值电压(Vgs(th))1.8V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)125nC@4.5V
输入电容(Ciss)6.2nF
反向传输电容(Crss)147pF
工作温度-50℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)2.47nF

数据手册PDF