商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 680A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 357W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 225nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 18.921nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 693pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 680A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 357W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 225nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 18.921nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 693pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |