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SSM6N15AFU,LF(ES)
带ESD防护，2个N沟道，30V，0.6A，440mΩ@10V，0.2A，0.85V@250μA；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
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- 描述
- 带ESD防护，2个N沟道，30V，0.6A，440mΩ@10V，0.2A，0.85V@250μA；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- SSM6N15AFU,LF(ES)
- 商品编号
- C55067991
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031567克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 440mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 20pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
- TPD1E05U06DYAR(ES)
- AZ1613-01L(ES)
- AZ1615-01L(ES)
- MDTP160808-2R2M
- MDTP160808-4R7M
- MDTP20161A-R47M
- MDTP20161A-1R0M
- MDTP20161A-1R5M
- MDTP20161A-2R2M
- MDTP20161A-4R7M
- MDTP20161A-100M
- MDTP25201A-R47M
- MDTP25201A-1R0M
- MDTP25201A-1R5M
- MDTP25201A-2R2M
- MDTP25201A-3R3M
- MDTP25201A-4R7M
- MDTP25201A-100M
- MDTP20161A-R47M-E
- MDTP20161A-1R0M-E
- MDTP20161A-1R5M-E