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DMN2053UWQ-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:6.5A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：通用接口开关
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2053UWQ-7
- 商品编号
- C5189619
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 414pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 54pF |
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 1.2 V 驱动
- 低漏源导通电阻
- RDS(ON) = 67 mΩ（典型值）（@ VGS = 4.5 V）
- RDS(ON) = 74 mΩ（典型值）（@ VGS = 2.5 V）
- RDS(ON) = 84 mΩ（典型值）（@ VGS = 1.8 V）
- RDS(ON) = 94 mΩ（典型值）（@ VGS = 1.5 V）
- RDS(ON) = 121 mΩ（典型值）（@ VGS = 1.2 V）
应用领域
- 电源管理开关-DC-DC 转换器