- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HL1216M
HL1216M/沟槽/Single P/-19V/-16A/12.4mΩ
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- 描述
- 沟槽;1个P沟道;VDSS:-19V;ID:-16A;VGS:±12V;VTH:-0.7V;RDS(ON):12.4mΩ;PD：2.1W
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- HL1216M
- 商品编号
- C55058882
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0387克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 19V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.4mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.411nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 293pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 322pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |