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SSM6L36FE,LM
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V
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- 描述
- 特性：1.5V驱动。 低导通电阻: -Q1 Nch: -Rₒₙ = 1.52Ω（最大值）（V_GS = 1.5V）。 -Rₒₙ = 1.14Ω（最大值）（V_GS = 1.8V）。 -Rₒₙ = 0.85Ω（最大值）（V_GS = 2.5V）
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6L36FE,LM
- 商品编号
- C5189221
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.010615克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 330mA；500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.31Ω@4.5V；630mΩ@5.0V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.23nC@4.0V；1.2nC@4V | |
| 输入电容(Ciss) | 46pF；43pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.3pF；6.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10.8pF；10.3pF |
应用领域
- 电池保护-负载开关-电源管理