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SI2309A
1个P沟道 耐压:60V 电流:1.6A
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- 描述
- 该消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为60V电压系统设计，额定电流1.6A。具有低导通电阻和快速开关性能，适用于充电器、电源转换等应用，提供高效能、稳定的功率控制解决方案。
- 商品型号
- SI2309A
- 商品编号
- C5189110
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 444.2pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 17.9pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 创新设计
- 卓越的雪崩耐受技术
- 坚固的栅极氧化层技术
- 极低的本征电容
- 出色的开关特性
- 无与伦比的栅极电荷：15 nC（典型值）
- 扩展的安全工作区
- 更低的RDS(ON)：2.8 Ω（典型值）@VGS = 10V
- 100%雪崩测试