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SSM6N62TU,LF
硅N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：AEC-Q101 合格。 1.2-V 驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 67 mΩ（典型值）(@ VGS = 4.5V)。RDS(ON) = 74 mΩ（典型值）(@ VGS = 2.5V)。RDS(ON) = 84 mΩ（典型值）(@ VGS = 1.8V)。RDS(ON) = 94 mΩ（典型值）(@ VGS = 1.5V)。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- SSM6N62TU,LF
- 商品编号
- C5189038
- 商品封装
- UF6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 67mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 177pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 52pF |
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 1.2 V 驱动
- 低漏源导通电阻
- RDS(ON) = 67 mΩ(典型值)(@ VGS = 4.5 V)
- RDS(ON) = 74 mΩ(典型值)(@ VGS = 2.5 V)
- RDS(ON) = 84 mΩ(典型值)(@ VGS = 1.8 V)
- RDS(ON) = 94 mΩ(典型值)(@ VGS = 1.5 V)
- RDS(ON) = 121 mΩ(典型值)(@ VGS = 1.2 V)
应用领域
-电源管理开关-DC-DC 转换器
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