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MJD45H11G

PNP 电流:8A 电压:80V

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描述: 设计用于通用电源和开关，如开关稳压器、转换器和功率放大器等应用中的输出或驱动级。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: MJD45H11G
商品编号: C5424
商品封装: TO-252(DPAK)
包装方式: 管装
商品毛重: 0.438克(g)

商品参数

晶体管类型：PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：8A
电压 - 集射极击穿（最大值）：80V
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：1V @ 400mA，8A
电流 - 集电极截止（最大值）：1μA
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：40 @ 4A，1V
功率 - 最大值：1.75W
频率 - 跃迁：90MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：DPAK-3

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	属性	参数值
	商品目录	三极管(BJT)
	晶体管类型	PNP
	集电极电流(Ic)	8A
	集射极击穿电压(Vceo)	80V
	耗散功率(Pd)	20W
	直流电流增益(hFE)	60@2A,1V

	属性	参数值
	特征频率(fT)	90MHz
	集电极截止电流(Icbo)	1uA
	集射极饱和电压(VCE(sat))	1V
	工作温度	-55℃~+150℃
	射基极击穿电压(Vebo)	5V