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EPC2052
增强型功率晶体管
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- 描述
- 氮化镓具有极高的电子迁移率和低温系数，可实现极低的RDS(on)，而其横向器件结构和多数载流子二极管可提供极低的QG和零QRR。最终结果是，该器件可以处理非常高开关频率和低导通时间有益的任务，以及导通状态损耗占主导地位的任务。
- 品牌名称
- EPC
- 商品型号
- EPC2052
- 商品编号
- C5188719
- 商品封装
- BGA-9
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | - | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.2A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 441pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.2pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 195pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ |
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