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PT8205H
20V双N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 高功率和电流处理能力。 适用于锂离子电池组应用
- 品牌名称
- PUOLOP(迪浦)
- 商品型号
- PT8205H
- 商品编号
- C5188642
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.014克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |