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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.5Ω@10V,3A | |
| 功率 | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 13.5nC@480V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 680pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 10.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用Maple semi先进的平面条形DMOS技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 5A、500V，VGS = 10V时，RDS(on)典型值 = 1.12 Ω
- 低栅极电荷（典型值22 nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
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