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CI100N65SM

CI100N65SM

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描述
650V20m欧姆 0负压驱动,原硅MOS驱动不用更改完全兼容
商品型号
CI100N65SM
商品编号
C55019281
商品封装
TO-247-3L​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量-
类型-
配置-
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)120A
耗散功率(Pd)333W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4.5V
栅极电荷量(Qg)125nC
输入电容(Ciss)3.2nF
反向传输电容(Crss)20pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)230pF
导通电阻(RDS(on))26mΩ

数据手册PDF