温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
LR045N10S1
LR045N10S1
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Long-Tek(龙夏)
- 商品型号
- LR045N10S1
- 商品编号
- C5186602
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 227W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.772nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
WSK160N15是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷特性。 WSK160N15符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，并通过了全面的可靠性验证。
商品特性
- 采用先进的SGT技术
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的栅极电荷与RDS(on)乘积(品质因数FOM)
应用领域
-电机控制与驱动-电池管理-DC/DC转换器-通用应用
其他推荐
- 171960501
- HGC0603G00R3C500NTHJ
- HGC0603G00R5C500NTHJ
- HHV0603G00R5C101NTHJ
- HHV0603G0101J101NTHJ
- HHV0603G0101J201NTHJ
- HGC0603G01R0B500NTHJ
- HGC0603G01R5C500NTHJ
- HHV0603G0200J101NTHJ
- HHV0603G0200J251NTHJ
- HHV0603G0220J101NTHJ
- HHV0603G0220J251NTHJ
- HHV0603G0300J101NTHJ
- HGC0603G0300J500NTHJ
- HHV0603G0330J201NTHJ
- HGC0603G0390J500NTHJ
- HHV0603G0470J101NTHJ
- HHV0603G0470J251NTHJ
- HGC0603G06R8C500NTHJ
- HGC0603G08R2C500NTHJ
- HGC0603R7101K500NTHJ