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SL30N06D
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- SL30N06D采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL30N06D
- 商品编号
- C5185937
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
4410是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路。
商品特性
- 30V/18 A，栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 4.5mΩ（典型值）
- 30V/15 A，栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 6.0mΩ（典型值）
- 专为极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOP8封装设计
- 100%进行UIS测试
- 100%进行Rg测试
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备
- DC/DC转换器
- 负载开关
- 数码相机
- LCD显示器逆变器