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SL30N06D
1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 描述
- SL30N06D采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL30N06D
- 商品编号
- C5185937
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
4410是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 30A
- 在 VGS = 10 V 时,RDS(ON) < 35 m Ω
- 高密度单元设计,实现超低RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
- 优秀的封装,散热性能良好
- 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源