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AO4614
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:6A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术MOSFET，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器和其他应用。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AO4614
- 商品编号
- C5185740
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V；40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A；5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V；39mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.28W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA；2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.9nC@10V；17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 516pF；940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF；72pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 82pF；97pF |
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