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AP3983BMTR-G1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AP3983BMTR-G1

高频初级侧电源开关芯片

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描述
用于离线开关电源的高频初级侧电源开关芯片,内置MOSFET,通过分段脉冲频率调制在不连续导通模式下调节输出电压和电流。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
AP3983BMTR-G1
商品编号
C560268
商品封装
SO-7​
包装方式
编带
商品毛重
0.127克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录AC-DC控制器和稳压器
工作电压25V
开关频率65kHz
耗散功率(Pd)700mW
晶体管耐压650V
属性参数值
特性恒压模式(CV);过热保护(OTP);恒流模式(CC);短路保护(SCP);过压保护(OVP)
工作温度-40℃~+105℃
工作模式PFM 调制;DCM
反馈方式原边反馈

商品概述

AP3983B/C/D 是一系列用于电源的高频功率开关,具备更高的转换效率、更优的电压和电流精度,以及增强的保护功能。典型应用包括充电器、ADSL 适配器、家电电源、LED 照明电源和 PC 辅助电源。AP3983B/C/D 内置 MOSFET,在不连续导通模式(DCM)下通过分段脉冲频率调制(p - PFM)在初级侧调节输出电压和电流。在 p - PFM 的每个区间内,系统工作频率从重载到轻载呈线性降低,当负载电流等于系统最大输出电流时进入恒流模式。 AP3983B/C/D 具有良好的瞬态特性。通常,对于 5V 应用系统的动态测试,PCB 侧可实现低至 4.3V 的最小电压。 AP3983B/C/D 提供工作频率抖动功能,以改善电源的电磁兼容性(EMC)性能。AP3983B/C/D 还内置了固定的电缆压降补偿和可调的线电压补偿。 AP3983B/C/D 解决方案所需的元件数量更少、尺寸更小,总成本更低。 AP3983B/C 采用 SO - 7 封装。AP3983C/D 采用 PDIP - 7 封装。

商品特性

  • 初级侧控制,无需光耦
  • 良好的瞬态特性
  • 内置 650V BVDSS 的 N 沟道 MOSFET
  • 低启动电流:0.2μA(典型值)
  • 内部输出电缆压降补偿
  • 打嗝功能,增强短路保护
  • 良好的过压保护
  • 良好的过温保护
  • 低成本解决方案
  • 完全无铅,符合 RoHS 标准,无卤素和锑。“绿色”器件

应用领域

  • 适配器
  • 机顶盒
  • 辅助电源
  • 家电
  • LED 驱动器

数据手册PDF