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BCF95N190M2

BCF95N190M2

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描述
SiC MOSFET,950V, 190mΩ
商品型号
BCF95N190M2
商品编号
C54921992
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.578829克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
漏源电压(Vdss)950V
连续漏极电流(Id)18A
耗散功率(Pd)54W
阈值电压(Vgs(th))3.9V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)15.3nC
输入电容(Ciss)431pF
反向传输电容(Crss)3pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)30pF
导通电阻(RDS(on))190mΩ

数据手册PDF