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DMN3032LFDBQ-7
2个N沟道 耐压:30V 电流:6.2A
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- 描述
- 这款 MOSFET 专为满足汽车应用的严格要求而设计，符合 AEC-Q101 标准，并有 PPAP 支持，非常适合用于：车身控制电子装置、电源管理功能、DC-DC 转换器。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3032LFDBQ-7
- 商品编号
- C5180126
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V,6.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
应用领域
- DC-DC 转换器-负载开关-电源管理