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CMS3415-HF
P沟道MOSFET
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- 描述
- CMS3415采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- Comchip(典琦)
- 商品型号
- CMS3415-HF
- 商品编号
- C5179968
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 550mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压VDS = -20V,漏极电流ID = -4A。
- 当栅源电压VGS = -2.5V时,导通电阻RDS(ON) < 60mΩ。
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 45mΩ。
- ESD等级:人体模型(HBM) 2500V。
- 具备高功率和大电流处理能力。
- 产品无铅。
- 采用表面贴装封装。
应用领域
- PWM应用。
- 负载开关。
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