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DMN3061SVTQ-7(ES)
N沟道MOSFET，耐压30V，导通电阻低至29mΩ，栅极电荷仅4.1nC，SOT23-6L封装，适用于DC-DC转换及电源快充开关。
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- 描述
- N沟道MOSFET，耐压30V，导通电阻低至29mΩ，栅极电荷仅4.1nC，SOT23-6L封装，适用于DC-DC转换及电源快充开关。
- 品牌名称
- ElecSuper(静芯)
- 商品型号
- DMN3061SVTQ-7(ES)
- 商品编号
- C54864228
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.040233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.1nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 170pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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