温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN3010LFG-7
1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3010LFG-7
- 商品编号
- C559581
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 26W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.15nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 276pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通状态漏源电阻（RDS(on)），以最小化传导损耗
- 低栅极电荷（QG）和电容，以最小化驱动损耗
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准