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NTD3055-094G
1个N沟道 耐压:60V 电流:18.2A
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NTD3055-094G
- 商品编号
- C5179594
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 73mΩ@10V,6.6A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 660pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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