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HYG170ND03LA1S

双N沟道增强型MOSFET

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描述: 特性：30V/9A。 RDS(ON)=14.5mΩ（典型值），VGS = 10V。 RDS(ON)=19.7mΩ（典型值），VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。可靠耐用。提供无卤环保器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 DC/DC电源管理
品牌名称: HUAYI(华羿微)
商品型号: HYG170ND03LA1S
商品编号: C5179487
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.26克(g)

商品参数

GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术，实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。其设计旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 GreenMOS通用系列针对极致开关性能进行了优化，以最大限度地降低开关损耗。它专为高功率密度应用而设计，以满足最高效率标准。