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HYG170ND03LA1S
双N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：30V/9A。 RDS(ON)=14.5mΩ（典型值），VGS = 10V。 RDS(ON)=19.7mΩ（典型值），VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤环保器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 DC/DC电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG170ND03LA1S
- 商品编号
- C5179487
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.7mΩ@4.5V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 354pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
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