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SE005DTDG

SE005DTDG

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描述
SGT2工艺/N+N管/60V/19A/5MΩ/(典型4MΩ)
商品型号
SE005DTDG
商品编号
C54838867
商品封装
SOP-8D​
包装方式
编带
商品毛重
0.113克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)19A
导通电阻(RDS(on))3.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.8W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)35nC@10V
输入电容(Ciss)1.95nF
反向传输电容(Crss)30pF
工作温度-50℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)617pF

数据手册PDF