B3221XM3BDGVI

低功耗DRAM（LPDDR4x FBGA）

芯片密度：16Gbits 组织架构：

• x 16位：128M字x 16位x 8个存储体
• 一个封装中有2个16Gb（x16）芯片（适用于32Gb情况） 行地址：R0 ~ R16 列地址：C0 ~ C9 封装：200球FBGA 电源：
• VDD1 = 1.80V（1.70 - 1.95V）
• VDD2 = 1.10V（1.06 - 1.17V）
• VDDQ = 0.60V（0.57 - 0.65V） 数据速率：
• 最大4266Mbps，向后兼容 每个通道有8个内部存储体用于并发操作
• 突发长度（BL）：16、32和动态调整
• 动态调整模式通过MRS启用
• 可编程读取延迟（RL）和写入延迟（WL）
• 预充电：每次突发访问可选择自动预充电 可编程驱动强度 刷新：自动刷新、自刷新 刷新周期：8192周期/32ms - 平均刷新周期：3.9μs 工作温度范围：
• TC = -25°C到+85°C

• 低功耗
• 按存储体刷新
• 部分阵列自刷新（PASR）
• 存储体屏蔽
• 分段屏蔽
• 通过内置温度传感器实现自动温度补偿自刷新（ATCSR）
• 支持所有存储体自动刷新和按存储体定向自动刷新
• 双倍数据速率架构；每个时钟周期进行两次数据传输
• 差分时钟输入（CK_t和CK_c）
• 双向差分数据选通（DQS_t和DQS_c）
• 在CK_t的上升沿和下降沿都可输入命令；数据和数据掩码参考DQS_t的两个边沿
• DMI引脚支持写数据屏蔽和DBIdc功能
• 设备寻址