FXBSS138DWMEH-05S6G
1个N沟道
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- 品牌名称
- LYG(凌烟阁)
- 商品型号
- FXBSS138DWMEH-05S6G
- 商品编号
- C5176004
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 360mA | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.6Ω@10V,500mA | |
| 功率(Pd) | 275mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 800mV@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 1nC@15V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 4pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品概述
FSMOS MOSFET基于独特的器件设计，实现了低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。高阈值电压（Vth）系列专为驱动电压超过10V的电源系统而设计。
商品特性
- 55V、0.36A,在VGS = 10V时,RDS(ON) = 1.6Ω
- 静电保护
- 快速开关
- 有环保器件可选
应用领域
-负载开关-手持仪器
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