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DMNH6021SPSQ-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:55A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：驱动螺线管、驱动继电器、电源管理功能。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMNH6021SPSQ-13
- 商品编号
- C5175175
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 53W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.016nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 76.8pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 153pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 175°C结温
- 新型低热阻封装
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 工业领域
- N沟道MOSFET