- 引脚图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FP75R12KT4
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 75A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 150A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 1mA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.85V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 570nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.3nF | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | 160pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 160ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 340ns | |
| 导通损耗(Eon) | 3.1mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 4.2mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- T_vjop = 150°C
- 低V_CEsat饱和电压
- 低开关损耗
- V_CEsat具有正温度系数
- 集成NTC温度传感器
- 焊接接触技术
- 标准外壳
- 铜基板
- 高功率和热循环能力
应用领域
- 伺服驱动
- 电机驱动
- 医疗设备应用
- 辅助逆变器