ISOTMP35REDFPRQ1

ISOTMP35R-Q1是一款增强隔离型模拟温度传感器芯片，集成了最高可达5 kV_RMS耐压的隔离栅，在–40℃至150℃温度范围内输出斜率为10 mV/℃。该集成设计允许传感器与高压热源（例如功率MOSFET、IGBT和汇流排）放置在同一位置，无需外部隔离放大器或隔离数据转换器。与为满足隔离要求将传感器放置在更远位置的方案相比，直接接触高压热源还能提供更高的精度和更快的热响应。ISOTMP35R-Q1的工作电源范围为3.1V至34V，可灵活集成在高压域没有可用稳压低压轨的系统中。ISOTMP35R-Q1在–40℃至150℃的温度范围内，输出电压范围为100mV至2.0V。该器件无需任何外部校准或修调，即可在室温下实现±0.5℃的最坏情况精度，在整个–40℃至150℃温度范围内实现±3.5℃的精度。ISOTMP35R-Q1的线性输出、500mV偏移和工厂校准，简化了需要读取负温度的单电源环境下的电路设计需求。集成隔离栅满足UL 1577要求。12引脚SSOP表面贴装封装可实现从热源到嵌入式温度传感器的出色热流，将热质量降至最低，提供更准确的热源测量。这减少了对耗时热建模的需求，并通过降低制造和装配带来的机械偏差提高了系统设计裕量。

• AEC-Q100认证
• 工作温度等级0:-40℃ 至 150℃
• 器件HBM ESD分类等级2
• 器件CDM ESD分类等级C5
• 支持功能安全，可提供文档助力功能安全系统设计
• 集成稳健隔离
• 耐压:5 kV_RMS
• 隔离工作电压:1.06 kV_RMS
• 隔离栅寿命:> 15年
• 提供基础隔离选项
• 25℃下温度精度典型值为±0.5℃
• 0℃ 至 70℃范围内温度精度最大值为±2.5℃
• -40℃ 至 150℃范围内温度精度最大值为±3.5℃
• 宽电源范围:3.1V 至 34V
• 模拟输出为10 mV/℃正斜率
• 0℃下输出偏移为500mV
• 输出电压范围:100mV 至 2.0V
• 热响应快:< 4s
• 高CMTI:65kV/µs
• 低功耗:典型值45μA
• 符合UL 1577安全相关认证，5 kV_RMS隔离可持续1分钟

• HEV/EV电池管理系统(BMS)
• HEV/EV车载充电器
• HEV/EV无线充电器
• HEV/EV直流/直流转换器
• HEV/EV逆变器和电机控制
• 动力总成温度检测