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SI3404HE3-TPA01
N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：无卤“绿色”器件。 通过AEC-Q101认证。 高密度单元设计，极低的导通电阻RDS(on)。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 湿度敏感度等级1。 无铅涂层/符合RoHS标准
- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- SI3404HE3-TPA01
- 商品编号
- C5173046
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V；42mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 820pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 118pF |
商品概述
FH1510G采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)），且栅极电荷较低。它可应用于多种领域。
商品特性
- 超低导通状态漏源电阻（RDS(ON)）
- 低栅极电荷
- 高电流承载能力
- 100%进行UIS测试和100%进行Rg测试
应用领域
-电信、工业自动化、消费电子领域的电源管理-DC/DC和AC/DC子系统中的电流切换-电动工具、电动车、机器人领域的电机驱动