- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ME1V5U4BAGS
固态硅雪崩技术低钳位电压和低漏电流的脉冲功率保护器件
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- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- ME1V5U4BAGS
- 商品编号
- C54741610
- 商品封装
- DFN2510-10L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 1.5V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 5A | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 18W@8/20us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-2 | |
| Cj-结电容 | 0.25pF |
商品特性
- 18瓦峰值脉冲功率（脉冲宽度tp = 8/20微秒）
- 固态硅雪崩技术
- 电容：典型值0.25皮法
- 低钳位电压
- 低泄漏电流
- 符合以下标准：
- IEC 61000 - 4 - 2（ESD）抗扰度测试：空气放电 ±15千伏，接触放电 ±12千伏
- IEC 61000 - 4 - 4（EFT）40安（5/50纳秒）
- IEC 61000 - 4 - 5（雷电）5安（8/20微秒）
应用领域
- USB 3.0/3.1/Type - C
- 雷电接口
- DisplayPort接口
- 手持便携设备应用