SI2319CDS-T1-GE3-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
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- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SI2319CDS-T1-GE3-VB商品编号
C558254商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.054克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | 5.6A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 55mΩ@10V,4.4A | |
功率(Pd) | 2.5W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
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