NTD2955T4G-VB
1个P沟道 耐压:60V 电流:30A
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- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
NTD2955T4G-VB商品编号
C558209商品封装
TO-252-2包装方式
编带
商品毛重
0.381克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 30A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 61mΩ@10V,5A | |
功率(Pd) | 34W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 10nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1nF@25V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 100pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
数据手册PDF
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